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    聯電攜手新思 14nm設計定案采用Galaxy平臺

    作者: 時間:2013-06-28 來源:鉅亨網 收藏

      (2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布,兩家公司的合作已獲得成果,采用新思科技DesignWare邏輯庫的IP組合,和Galaxy實作平臺的一部分寄生StarRC萃取方案,成功完成第一個14奈米FinFET制程驗證工具的設計定案。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/146915.htm

      在雙方持續進展中的合作關系上,采用新思科技DesignWare矽智財解決方案來認證14奈米FinFET制程,可視為是雙方此次合作的第一座里程碑。

      聯電表示,這次合作的第一個里程碑,可加速聯電14奈米FinFET制程矽智財與相關設計的認證。有助于促進聯電FinFET制程,獲得更快速及更高電源效能的系統單晶片采用。

      聯電市場行銷副總郭天全表示,此次設計定案的成功,是聯電技術上的重要里程碑,此次合作的成果將可大大嘉惠設計公司,為其帶來功耗、效能、成本上的好處。



    關鍵詞: 聯電 14nm

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