• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > AOS發布150V MOSFET旗艦產品

    AOS發布150V MOSFET旗艦產品

    —— DFN5*6封裝 極低導通內阻,超強開關性能實現更高功率密度
    作者: 時間:2013-05-10 來源:電子產品世界 收藏

      萬國半導體()發布了旗下最新150V 器件: 。該器件作為 AlphaMOS™ (?MOS™)中壓系列旗艦產品,為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。適用于通信及工業電源DC/DC轉換器原邊開關、AC/DC及DC/DC轉換器副邊同步整流,太陽能微逆變器,以及通信系統中的負載點模塊(POL)。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/145196.htm

      采用先進的AlphaMOS™技術,實現了業界領先的低導通內阻和高速開關性能。該產品與上一代產品相比,內阻降低了57%;與市場上現有最先進的同類型150V器件相比,內阻降低了8% ,除此之外, AON6250的優值(RDS(ON) * COSS)也是市場上最好的,從而可以有效降低開關損耗。因此無論是輕載條件還是重載條件,效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封裝,符合綠色環保產品相關規定,且電氣性能方面100%經過柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試。繼AON6250之后,萬國半導體()將發布一系列150V 產品。.

      “終端客戶總是要求電源系統輸出更高功率并且占用更小的空間,這讓電源設計工程們面臨嚴峻考驗” , AOS高級產品經理Stephen表示, “實現其功率密度,需要器件具有極低的導通內阻以及良好的開關性能,AON6250正好可以滿足工程師的需求。.”  

     

      AON6250 技術優勢:

      150V N-channel in a DFN5x6 package
      RDS(ON) < 16.5 mOhms max at VGS = 10V (業內最低內阻)
      COSS = 213 pF typ
      Qg (10V) = 30.5 nC typ
      業內最低 RDS(ON) * COSS (優值, 可以有效降低開關損耗)
      100%經過柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試



    關鍵詞: AOS AON6250 MOSFET

    評論


    相關推薦

    技術專區

    關閉
    主站蜘蛛池模板: 抚顺县| 吉木乃县| 佳木斯市| 昌图县| 琼中| 明水县| 寻乌县| 玉树县| 高雄县| 繁峙县| 江北区| 同江市| 枝江市| 广德县| 土默特右旗| 勐海县| 德兴市| 南充市| 安平县| 巴青县| 焦作市| 阜南县| 敖汉旗| 泰宁县| 福安市| 达日县| 苗栗县| 丹棱县| 临海市| 崇义县| 柯坪县| 启东市| 马公市| 黎川县| 兴仁县| 河北省| 苍山县| 涿州市| 兰考县| 秦皇岛市| 吴江市|