燦芯半導體40納米項目累計達兩位數

 　　上海，2013年1月9日-- 國際領先的ASIC設計公司及一站式服務供應商，燦芯半導體(上海)有限公司(以下簡稱“燦芯半導體”)今日宣布與客戶合作開發的40納米芯片設計項目數量累計達到十個，這些項目均基于中芯國際(紐約證交所代碼：SMI，香港聯交所代碼：981)的40納米制造工藝。

　　燦芯半導體開發的先進技術芯片廣泛應用于高成長的移動設備領域，如智能手機。燦芯半導體的40納米項目大多采用了先進的ARM® Cortex™系列內核，包括A5、A7、A9,以確保芯片高性能和低功耗的要求。隨著通信與計算功能在移動終端上的進一步融合，多媒體、游戲與辦公應用的功能對芯片性能提出了更高的要求，降低功耗成為半導體技術一個必須解決的問題。燦芯半導體將先進的低功耗設計方法運用在40納米芯片項目中，滿足客戶產品較為廣泛的特性和技術要求。

　　燦芯半導體致力于先進技術的芯片設計開發，截止到2012年第三季度，線寬小于65納米的項目累計數量已占到總數的一半。燦芯半導體還積極投入研發28納米的芯片設計技術，以滿足客戶將來的需求。

　　“中芯國際第一顆量產的40納米產品就是燦芯半導體的項目。他們在先進技術項目上的成功凸顯了燦芯半導體的技術實力”，中芯國際首席執行官邱慈云博士表示：“燦芯半導體是中芯國際重要的戰略合作伙伴，他們的成功也將給中芯國際帶來更多先進制程的訂單。”

　　燦芯半導體總裁兼首席執行官職春星博士說：“我們一直同中芯國際以及我們共同的客戶緊密合作，開發綜合解決方案，以解決40納米的設計和制造問題。我們立志提供業界領先的技術和服務，產品的高性能和快速上市是我們的目標。我們非常有信心公司在未來幾年繼續保持增長。”