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    羅姆開發出車載用內置絕緣元件的柵極驅動器

    —— 非常有助于EV、HEV中逆變電路的小型化、低功耗化
    作者: 時間:2012-05-24 來源:電子產品世界 收藏

      日本知名半導體制造商株式會社(總部位于日本京都市)開發出內置絕緣元件的“BM6103FV-C”,最適合作為電動汽車(EV)和混合動力車(HEV)逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/132770.htm

      本產品融合了獨創的BiCDMOS技術與新開發的片上變壓器工藝技術,作為內置了絕緣元件的,是業界最小※的小型封裝,有助于逆變器電路的小型化。另外,與傳統的光耦方式相比,可大幅降低耗電量,而且由于具備了所有必要的保護功能和品質要求,可減少設計時的工作量。  

       不僅如此,還支持作為新一代功率半導體備受期待的SiC(Silicon carbide:碳化硅)的功率MOSFET的高速開關,非常有助于實現更加高效、更加低功耗的新一代電動汽車。

      生產基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國),預計從2012年6月份開始銷售樣品(樣品價格:1,000日元),從 2012年9月份開始以月產1萬個的規模投入量產。

      ※ 根據的調查(截至2012年5月22日)

      近年來,隨著EV和HEV的不斷普及,為了進一步提高性能,對動力單元的逆變器電路小型化的要求高漲。一方面,一般每個車載用逆變器內置6個,為了實現逆變器電路的小型化,柵極驅動器的小型化勢在必行。此外,在車載特有的苛刻的驅動環境中,為實現確保安全性的逆變器電路,不僅需要各種保護功能,為了防止駕駛員觸電,作為絕緣元件必須配備光耦等外置零件。在這種情況下,對于內置絕緣元件、并且小型的柵極驅動器的需求日益高漲。

      另一方面,有望內置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆變器電路時,解決其高速開關性能所導致的噪音也已成為重大課題。  

       此次羅姆采用獨創的微細加工技術,開發出片上變壓器工藝,進而成功開發出小型并且內置了絕緣元件的柵極驅動器。無需外置零件,同時通過采用小型封裝,與傳統產品相比,安裝面積減少了約50%。不僅如此,由于內置車載逆變器電路所需的全部保護功能,不僅有助于實現逆變器的小型化,還非常有助于減輕設計負擔。


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    關鍵詞: 羅姆 柵極驅動器

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