飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱N溝道模塊
—— 幫助設(shè)計(jì)人員在電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)最高功率密度和最高效率
加入技術(shù)交流群
隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/132298.htm
FDPC8011S專為更高的開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，在一個(gè)采用全Clip封裝內(nèi)集成1.4m? SyncFET 技術(shù)和一個(gè)5.4m?控制MOSFET、低質(zhì)量因子的N溝道MOSFET，有助于減少同步降壓應(yīng)用中的電容數(shù)量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側(cè)MOSFET可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的布局和布線，提供更緊湊的線路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過(guò)25A的輸出電流，與其它普通3x3mm2 雙MOSFET器件相比，輸出電流容量提高了2倍。
特性和優(yōu)勢(shì)
- 控制N溝道MOSFET RDS(ON) = 5.4m? 典型值，(最大7.3m?) VGS = 4.5V
- 同步N溝道MOSFET RDS(ON) = 1.4m? 典型值，(最大2.1m? ) VGS = 4.5V
- 低電感封裝縮短上升/下降時(shí)間，實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗
- MOSFET集成實(shí)現(xiàn)最佳布局，降低線路電感并減少開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
- 滿足RoHS要求
新增3.3x3.3mm2 Power Clip 非對(duì)稱雙 MOSFET是飛兆半導(dǎo)體齊全的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠?yàn)殡娫丛O(shè)計(jì)人員提供了大量針對(duì)任務(wù)關(guān)鍵性高效信息處理設(shè)計(jì)的解決方案。
評(píng)論