NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

　　恩智浦半導體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。

　　作為業界首款集成低VCE (sat) BISS晶體管和Trench MOSFET的二合一型產品，PBSM5240PF不但能節省PCB板空間，而且具有卓越的電氣性能。

　　傳統的小信號晶體管 (BISS)/MOSFET解決方案通常需要采用兩個封裝，相比之下PBSM5240PF可減少超過50%的電路板占用面積，使封裝高度降低10%以上。此外，DFN2020-6 (SOT1118) 封裝還集成了一個散熱器，令散熱性能提高了25%，從而可支持高至2A的電流，并因此降低了能耗。

　　PBSM5240PF可用作便攜式電池充電電路的一部分，適用于手機、MP3播放器以及其他便攜式設備。它也可被用于那些要求最佳散熱性能、較高電流支持和占用面積小的負載開關或電池驅動設備中。

　　積極評價

　　恩智浦產品經理Joachim Stange表示：“對于便攜式設備領域來說，BISS/MOSFET解決方案的獨特之處和魅力所在就是其極小的占位面積、出色的電氣性能、散熱性能以及無鉛封裝。這款集成式的封裝產品最高可支持40V的電壓，非常適合當今日益纖薄化的小型移動設備使用。而對于這類設備，高度和電路板空間是關鍵的設計考慮因素，每一毫米都至關重要。”

　　技術參數

　　PBSM5240PF 小信號晶體管(BISS)和N溝道 Trench MOSFET的主要特性包括：

　　集電極大電流能力(IC和ICM)

　　集電極大電流下擁有高電流增益 (hFE)

　　產生熱量小，能效高

　　極低的集電極-發射極飽和電壓(VCEsat)

　　封裝占位僅為2 x 2 mm，可減少印刷電路板尺寸

　　上市時間

　　恩智浦PBSM5240PF突破性小信號(BISS)晶體管和N通道Trench MOSFET即將通過全球主要經銷商供貨。