聯發科技：TD-LTE芯片研發引入競爭擴大需求

　　通信產業報(網)：目前，終端芯片的發展趨勢有哪些?

　　呂向正：TD終端芯片的發展趨勢主要體現在以下五個方面：

　　1.調制解調器(Modem)：向HSPA升級，并進一步往HSPA+發展。HSPA+是新型高速分組接入(HSPA)無線寬帶技術，可提供比3G網絡更高的數據吞吐能力。

　　2.時尚多媒體：支持更高像素(200萬～500萬)的攝像頭、3.2英寸HVGA高清大屏幕和中國移動多媒體廣播(CMMB，以TD終端為主)。

　　3.移動互聯網：蘋果產品(iPhone、iPad)的流行以及中國移動廣布WiFi熱點，使無線互聯網和WiFi接入逐漸成為TD終端芯片必須支持的個人隨身熱點應用。

　　4.用戶體驗：類智能用戶界面(UI)需求，包括3D畫面和全網頁瀏覽器，全面提升用戶的互聯網體驗。

　　5.近距離通訊(NFC)：其應用技術也是TD熱門發展趨勢之一。

　　通信產業報(網)：目前，備受國內關注的TD-LTE的終端芯片相對其它三種芯片還需要在哪些方面提高?TD-LTE終端芯片未來的發展路徑是什么?

　　呂向正：不同制式網絡的終端芯片發展速度不同。

　　EVDO：該技術僅為極少數的芯片廠商所獨占，芯片產品從現有的Rev.A向Rev.C進展，但其中領先的廠商也開始支持多模FDD-LTE。

　　TD-LTE：芯片從單模發展到多模，而且向下與現有的GSM、TD-SCDMA等技術相兼容。目前各方都在做積極的技術準備。FDD-LTE：芯片在歐美與日本開始小規模地進入商用，向下也支持2G/3G技術，已從3GPPR8發展到了R9標準。

　　TD-LTE終端芯片首先要擴大市場需求，才能擁有像HSPA+或EVDO一樣的經濟規模，從而加速技術演進，最終達到成本收益目標。TD-LTE終端芯片未來的發展路徑勢必是更高集成度、更低功耗和更低成本的方向;多模多頻必將成為主流。

　　通信產業報(網)：目前，TD-LTE終端芯片的發展還面臨哪些挑戰?

　　呂向正：除了常見的終端發熱與功耗過高等等情況，TD-LTE的Band40和Band7信號與ISMBand過于接近也是一個突出的難題，這會導致LTE信號與藍牙(Bluetooth)或Wi-Fi信號互相干擾。此外，日后支持國際漫游的頻段，智能終端合理的成本與大小，兼顧產品性能的同時又要兼顧許多天線與射頻通訊模塊的設計，此類種種都將是TD-LTE終端芯片發展的挑戰。

　　通信產業報(網)：TD-LTE商用時，將會面對中國聯通和中國電信的3G網絡的競爭，在終端芯片方面，TD-LTE終端芯片在競爭中有哪些優勢?

　　呂向正：TD-LTE芯片的優勢在于中國至今已有不少廠商投入TD-LTE技術的發展，在產業自主化與對國際標準的掌握上，已經具有了相當優勢。