飛兆半導體推出60V PowerTrench MOSFET器件

　　DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及服務器的次級同步整流應用的設計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。

　　為了滿足這一需求，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出N溝道PowerTrench® MOSFET器件FDMS86500L，該器件經專門設計以最大限度地減小傳導損耗和開關節點振鈴，并提升DC-DC轉換器的整體效率。

　　FDMS86500L是采用行業標準5mm x 6mm Power 56封裝的器件，它結合了先進的封裝技術和硅技術，顯著降低了導通阻抗RDS(ON) (2.5m? @ VGS = 10V, ID=25A)，實現更低的傳導損耗。

　　此外，FDMS86500L使用屏蔽柵極功率MOSFET技術，提供極低的開關損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結合該器件的低傳導損耗，可為設計人員提供其所需的更高的功率密度。

　　FDMS86500L MOSFET器件具有更好的品質因數(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期滿足效率標準和法規的要求。

　　FDMS86500L器件的其它特性包括采用下一代增強型體二極管技術以實現軟恢復;MSL1穩固封裝設計;經過100% UIL測試，并符合RoHS標準。

　　FDMS86500L是飛兆半導體新型60V MOSFET產品系列中的首款器件，這些新型 60V MOSFET器件的推出，進一步強化公司中等電壓MOSFET產品系列。飛兆半導體擁有業界最廣泛的 MOSFET產品系列，向設計人員提供多種技術選擇，以便為應用挑選合適的MOSFET器件。飛兆半導體充分認識到空間受限的應用場合對電流更高、占位面積更小的DC-DC電源的需求，并且了解客戶及其所服務的市場，因而能夠提供具有獨特功能、工藝和封裝創新組合的量身定做解決方案，實現電子設計差異化。