新日本無線開發(fā)完成高隔離度SPDT開關GaAs MMIC NJG1666MD7
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【開發(fā)背景】
本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/105436.htm近年來，隨著裝載有FM和1seg等多數(shù)調(diào)諧器的設備的增加，市場需求用于分離接收信號的具有高隔離度的SPDT開關。為了適應市場的要求，新日本無線開發(fā)了最適合于信號分離的SPDT開關系列產(chǎn)品。要求更高隔離度的STB※和TV調(diào)諧器等設備把已有的SPDT開關多段連接使用或使用分立電路。NJG1666MD7是實現(xiàn)了使要求高隔離度特性的設備更加容易把信號分離而開發(fā)的SPDT開關。
【產(chǎn)品特征】
特征1 同時實現(xiàn)了高隔離度和低插入損耗
完成了高隔離度的電路設計和減少了IC芯片、封裝內(nèi)的寄生電容，從而實現(xiàn)了高隔離度(70dB@250MHz, 60dB@2.2GHz)的特性，并且實現(xiàn)了很難同時共存的低插入損耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。
特征2 采用了小型、超薄型封裝
NJG1666MD7采用了小型、超薄型封裝EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.)，實現(xiàn)了比以往產(chǎn)品(NJG1512HD3：2.0×1.8×0.8mm)28%面積的節(jié)減，使安裝基板節(jié)省了空間并可小型化。
特征3 實現(xiàn)了高ESD(Electrostatic Discharge)耐壓
內(nèi)置有保護器件，從而實現(xiàn)了在MM(Machine Model)機器放電模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人體放電模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。
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