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    IR推出100V集成MOSFET解決方案

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    作者: 時間:2005-12-23 來源: 收藏

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/10421.htm

    為PoE應用節省80%的占位空間

    國際整流器公司近日推出F4000型100V器件。該器件將4個HEXFET  集成在一個功率MLP封裝內,可滿足以太網供電(Power-over-Ethernet,簡稱PoE)應用的需求。這款新器件符合針對網絡和通信基礎設施系統的IEEE802.3af標準,例如以太網交換器、路由器和集線器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4個獨立SOT-223封裝的。其減少的占位面積相當于節省了80%的空間,或相當于典型48端口電路板中3平方英寸的占板面積。

    中國及香港銷售總監嚴國富指出:“PoE卡的每個端口都需要有各自的F4000正好可以滿足這種需要。與使用單獨MOSFET的相比,它能大幅度減少零件數目,同時簡化制造工藝,可在48端口系統中節省36個插入元件。”

    IEEE 802.3af提出了在網絡系統中由電源設備通過局域網向用電裝置供電的標準。IR的這款新型MOSFET的工作類似一個熱交換場效應管,在受控環境下,可將電力由電源設備輸送到用電裝置。由于它必須在線性區域工作,工作環境也非常嚴峻,因此必須設置一個高度穩定的安全工作區域(SOA)。

    IRF4000采用低跨導硅技術,封裝熱阻約1



    關鍵詞: IR MOSFET 解決方案

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