爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片已投入量產(chǎn)

　　爾必達公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經(jīng)開始量產(chǎn)40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，爾必達公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片技術的開發(fā)工作，而他們只用了兩個月的時間便將這項技術投入了量產(chǎn)。

　　比較現(xiàn)有的50nm制程技術，40nm制程能在每片晶圓上多產(chǎn)出44%的DDR3內(nèi)存芯片，而且新制程用于生產(chǎn)1.6Gbps規(guī)格的DDR3內(nèi)存芯片時的良率可達100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產(chǎn)品的1.5V降低了2/3左右，達到1.2V/1.35V的水平,而芯片能耗則可下降50%左右。

　　根據(jù)爾必達的計劃，他們將首先在廣島工廠進行40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的量產(chǎn)，隨后將于明年第二季度在其位于臺灣的合資廠瑞晶的廠房中開始生產(chǎn)這種芯片，以便提升芯片的產(chǎn)能，減小生產(chǎn)成本。另外，視內(nèi)存市場的發(fā)展狀況，爾必達公司還有可能會將這種制程技術轉讓給其在臺灣的合作伙伴如華邦，茂德等，以便進一步提升芯片的總體產(chǎn)能。