意法推出512Mbit閃存解決方案
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意法半導體近日推出了最新一代手機專用的NOR閃存子系統(tǒng)。意法半導體是世界最大的NOR閃存供應(yīng)商之一，在開發(fā)半導體精細制造技術(shù)領(lǐng)域居世界領(lǐng)先水平。新的多片子系統(tǒng)在一個封裝內(nèi)整合了ST新開發(fā)的256Mbit和512Mbit單片NOR閃存芯片以及偽靜態(tài)隨機存取存儲器（PSRAM）或小功率同步動態(tài)隨機存取存儲器（LPSDRAM）。新的NOR閃存子系統(tǒng)專門為第三代手機應(yīng)用設(shè)計，采用ST先進的90nm工藝開發(fā)制造，代碼執(zhí)行速度更快，價格更加低廉。
新的閃存子系統(tǒng)采用多片封裝（MCP）技術(shù)，含有多種芯片組合，包括：
512 Mbit 閃存 + 64 Mbit PSRAM (M36P0R9060);
512 Mbit 閃存+ 128 Mbit PSRAM (M36P0R9070);
512 Mbit 閃存 + 128 Mbit LPSDRAM (M39P0R9070):
此外，還有容量高達1Gbit的三片疊裝和基于ST新開發(fā)的256MbitNOR閃存的多片封裝產(chǎn)品。
ST新的NOR閃存將存儲性能提升到了一個新的水平，讀取速率高達133MHz，比市場現(xiàn)有產(chǎn)品快2倍。此外，編程速率高達0.5兆字節(jié)每秒，比現(xiàn)有NOR閃存解決方案提高2倍。意法半導體存儲器產(chǎn)品部副總裁Marco Dallabora說：“我們新的NOR閃存芯片具有優(yōu)異的讀取速度，能夠?qū)崿F(xiàn)目前最快讀取速度的芯片組，因而提高先進手機平臺的代碼執(zhí)行速度。此外，其 每秒 0.5兆字節(jié)的 編程速率以及極低的功耗還支持手機上的高分辨相機?！?nbsp;
ST新的閃存產(chǎn)品不僅采用90nm光刻技術(shù)，還運用了經(jīng)過驗證的先進存儲技術(shù)，例如，多電平單
元(MLC)閃存和多區(qū)塊體系結(jié)構(gòu)，這些特性都是針對第三代多媒體手機的高容量、小尺寸、低功耗和高靈活性等特點專門設(shè)計開發(fā)的。
在封裝方面，采用一個單片小封裝內(nèi)集成不同類型的存儲器的整合方法，可以 節(jié)省電路板空間， 提高制造商產(chǎn)品的可靠性。而且，在一個容量非常小的封裝內(nèi)組裝超大容量的存儲器是即將到來的第三代應(yīng)用處理多媒體內(nèi)容和快速連接互聯(lián)網(wǎng)的基本要求。
軟件支持在客戶的應(yīng)用平臺內(nèi)整合數(shù)據(jù)和文件管理功能，這一特性完善了ST存儲子系統(tǒng)產(chǎn)品范
圍，有助于縮短制造商的產(chǎn)品化周期。
這兩個新產(chǎn)品系列所包含的存儲器組合都已上市銷售，采用BGA封裝：NOR閃存+PSRAM，8 x 11mm (ZAC) LFBGA107封裝；NOR閃存+LPSDRAM，9x11mm(ZAD)xFBGA105封裝。批量采購 價：M36P0R9060單價12美元，M36P0R9070單價14美元，M39P0R9070單價13美元。所有產(chǎn)品數(shù)據(jù)信息將在www.st.com網(wǎng)站上公布。
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