鴻海9月開始量產1200V SiC MOSFET，并已啟動8吋SiC晶體開發

10月19日消息，在昨日舉行的2022年度鴻海科技日（HHTD22）上，鴻海科技在發布全新電動汽車的同時，也展示了其面向電動汽車的第三代半導體碳化硅（SiC）器件研發成果，不僅已具備量產SiC MOSFET的能力，還啟動了開發8英寸SiC晶圓的工作。

據鴻海科技現場工作人員介紹，鴻海正積極布局面碳化硅功率元件，第三季度已啟動開發8吋SiC晶體，旗下鴻揚半導體自主開的發1200V碳化硅為基礎的金屬氧化物半導體場效電晶體（SiC MOSFET），已在9月開始產出，并結合不同功率元件設計。

在技術部分，工作人員指出，鴻揚在碳化硅元件已具備模擬能力，提供客戶制程參數，供元件設計參考，此外鴻揚也可提供制程代工服務、以及電性量測服務，提供具有競爭力的碳化硅功率元件。

展望應用，工作人員表示，鴻揚的1200V SiC MOSFET元件，可應用在車載AC/DC、DC/DC電流轉換器、車載充電器（OBC）、以及太陽光電逆變器等。

鴻海也展示與盛新材料合作6吋SiC導電型（N-type）晶圓基板產品，可應用在電動車、軌道交通、以及大功率輸電發電等領域。現場工作人員透露，第3季鴻海與盛新材料合作，開始研發8吋SiC晶體。

鴻海集團去年8月以新臺幣25.2億元取得旺宏竹科6吋晶圓廠、布局碳化硅晶圓制造，以鴻揚半導體為主體，預計今年底產線建置完成，明年上線生產。