- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產業有限公司宣布，共同開發出一種新技術，可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM（靜態隨機存取存儲器）穩定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經測試證實，采用該技術的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩定工作，而且在工藝發生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元
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- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM。可以根據應用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構。關鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM
概述眾所周知，在非易失性存儲器領域，市場熱度節節攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點和優勢， NVSRAM 的應用以及工作方式。 非易失性存儲器應用
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- 在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置的位數據流，進行克隆設計。因此，在關鍵、核心設備中，必須采用加密技術保護設計者的知識產權。
1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題
通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲器
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- 引言同步SRAM的傳統應用領域是搜索引擎，用于實現算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網絡中發揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術的出現，系統設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網流)、計數器、統計、包緩沖、隊列管理和存儲分配器。 如今，人們對所有路由器和交換機的要求都不僅限于FIB(轉發信息庫)搜索。計數器需要跟蹤接受服務的信息包數量，并獲取統計數據來解決帳單編制問題。通過統計來連續監視網絡(被稱為NetFlow)，從而完成問題檢測和判定。隨著每個信息包處理量的增加，需要采用包
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- IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態存儲器（SRAM），可實現不同傳輸方式的雙路高速數據流的無損傳輸。
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- ISSCC 會議文件論述 SRAM 將有望使電池供電產品實現超低功耗 日前，麻省理工學院 (MIT) 的研究員將在著名的國際固態電路會議 (ISSCC) 上展示一款采用德州儀器 (TI) 先進 65 納米 CMOS 工藝制造的超低功耗 (ULP) 256kb 靜態隨機存取存儲器 (SRAM) 測試器件。該款 SRAM&
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- 按慣例，設計人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時，設計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發用于先進通信系統的存儲器，這就將工作重點轉向了帶寬，而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為：給定時間內可通過器件訪問的數據量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬：帶寬=I/O速度
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- SRAM一直是網絡應用的重要組成部分，它可提高帶寬，從而在許多高性能應用中起著主導作用。這些應用包括無總線時延 (NoBL)和四倍數據速率 (QDR) 等。就系統資源及內存帶寬要求而論，分組處理對內存帶寬的要求最高。分組處理塊內部的多個功能以及其它存儲功能要求采用不同的 SRAM 架構。因此需要采用支持 SRAM 的新型協議及架構，以滿足這些網絡系統的需求。本文重點介紹針對網絡應用提供的高級 SRAM 架構。此外，還介紹了如何區分采用不同 SRAM 架構的各種應用以及促使用戶選擇 SRAM 的標準。
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SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [
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