sic mosfet 文章 最新資訊
東芝支持功能安全的車載無刷電機預驅IC的樣品出貨即將開始
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，已開始供應“TB9083FTG”的測試樣品，這是一種面向汽車應用的預驅IC（其中包括電動轉向助力系統和電氣制動器使用的無刷電機）。東芝將在2022年1月提供最終樣品，并將在2022年12月開始量產。TB9083FTG是一種3相預驅IC，能夠控制和驅動用于驅動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。該產品支持ASIL-D[1]功能安全規范[2]且符合ISO 26262標準第二版的要求，適用于高安全級別的汽車系統。這種新型IC內置三通道預驅，用于控制和
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Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產品獎
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩壓器被《21IC中國電子網》評為2021年度Top 10電源產品獎獲獎產品。這款穩壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝，以其高達40 A的額定輸出電流，優于前代穩壓器的功率密度和瞬變響應能力受到表彰。Top 10電源產品獎已連續舉辦十九屆，成為業內創新電源產品的標志性獎項。獲獎產品由工程師投票，經21IC編委會綜合技術創新、能效、應用開
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雙脈沖測試基礎系列：基本原理和應用
- 編者按雙脈沖是分析功率開關器件動態特性的基礎實驗方法，貫穿器件的研發，應用和驅動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統設計中從容的調試驅動電路，優化動態過程，驗證短路保護。雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。為什么要進行雙脈沖測試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的，而是直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率。這樣的測試確實很必要，但是往往這樣看不出具體的開關損耗，電壓或者電流的尖峰情況，以及
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基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調光LED照明降壓方案
- 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續導通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應用是LED照明系統、模擬/PWM可調光LED驅動器，模擬調光范圍寬，從1%到100%。安森美專有的LED電流計算技術和內部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移，在整個模擬調光范圍內進行精確的穩流，穩流精度在滿載時<±2%，在1%的負載時<±20%。卓越的調光特性可根據負載情況在CCM (N
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面向工業環境的大功率無線電力傳輸技術
- 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術在消費類電子產品中的日益普及，工業和醫療行業也把關注焦點轉移至這項技術及其固有優勢。在如 WLAN 和藍牙（Bluetooth）等各項無線技術的推動下，通信接口日益向無線化發展，無線電力傳輸技術也成為一種相應的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來明顯的技術優勢，還能為新的工業設計開辟更多可能性。這項技術提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應力等惡劣環境的工業領域，例如 ATEX、醫藥、建筑機械等。比如，它可以替代昂貴且易損
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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性
- 開篇前言關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
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意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產業供應鏈
- 近年隨著電動汽車產業崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發驅使SiC爭奪戰正一觸即發。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
- 關鍵字： 意法半導體 Norstel AB 碳化硅 SiC
羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
- 全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業設備和汽車領域的、以世界先進的SiC(碳化硅)元器件為核心的產品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術與應用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的SiC為核心的功率元器件技術,以及充分發揮其性能的控制IC和
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了解熱阻在系統層級的影響
- 在電阻方面，電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻，可以用這些數字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導體接面是產生熱的來源，允許接面超過其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術來設計保護措施，以避免發生過熱關機等情況，但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案，就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強制冷卻接面溫度，透過傳導來進行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
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