- 富士通微電子公司日前宣布，已經成功開發出一種NOR型閃存新技術，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素，從而實現了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設備中應用這項技術，便攜音視頻設備將有望改進性能，同時延長電池續航時間。
富士通表示，將以這項N
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富士通 NOR 閃存
- 據iSuppli公司，經濟復蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈，類似于整體內存市場的情形。
2009年第四季度總體NOR營業收入為12.3億美元，比第三季度的12.2億美元增長0.7%。
“這標志這個市場連續第三個季度實現環比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕，營業額下降到不足10億美元，”iSuppli公司的資深內存與存儲分析師Michael Yang表示，“第四季度NOR閃存營業收入受到來自多個消費產品領域的需求推動，包括液晶電視、手機和電腦。需
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Numonyx NOR 內存
- 據國外媒體報道，美國最大的電腦存儲芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二宣布，將斥資12.7億美元收購閃存芯片制造商恒憶半導體(Numonyx Holdings BV)，借此增強其閃存芯片業務。
收購恒億
美光科技科技在聲明中表示，將向恒憶半導體的投資者——英特爾、意法半導體(STMicroelectronics)以及私募股權公司Francisco Partners——定向增發1.4億股股票。除此之外，美光科技還會向恒憶
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美光 NOR Numonyx
- 32位MCU強勢增長
從全球范圍內的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長曲線看，32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看，在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位，到10月底時，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數量來說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭，這
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MCU NAND NOR Android
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業中有獨特的地位。業界有人稱它為半導體業的風向標。
縱觀DRAM發展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
- 為中芯解開多年無法突破的經營困境，而與臺積電未來如能合作，將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。
11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創辦人、執行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執行董事兼集團總裁、首席執行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。
中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無償授予臺積電8%的中芯股權，且臺積電另可在3年內以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。
這件事情所以在臺灣
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 據臺灣媒體報道，近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統籌管理，張汝京等于找到了新舞臺。
臺灣媒體引述“內部人士”的話報道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面，但王寧國未有正面回應，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統籌管理。
據報道，中芯在張汝京時代，曾與成都、武漢等兩地方政府達成協議，成都市政府出資成立成
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 市場研究機構水清木華日前發布“2009年手機內存行業研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應用領域單一，應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優勢越明顯，應用領域更廣泛，應用廠家也多。手機市場變化迅速，現在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
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手機 NAND NOR
- 市場研究機構水清木華日前發布"2009年手機內存行業研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
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三星 NAND NOR RAM
- 引 言
STM32是ST(意法半導體)公司推出的基于ARM內核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內核是為低功耗和價格敏感的應用而專門設計的，具有突出的能效比和處理速度。通過采用Thumb－2高密度指令集，Cor
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Flash FSMC STM NOR
- 據來自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。
Spansion高層拒絕對這座名為SP1工廠的狀態進行評論。“SP1是Spansion Japan的資產，目前正在對可能的重組方案進行評估。我們繼續和Spansion Japan緊密合作，并通過我們內部和外部的資源，對客戶的要求進行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。
2007年，Spansion啟用業界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
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閃存 NOR 300mm
- “2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產業鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業營銷總監John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況，以及公司為脫離破產保護而進行的戰略調整。
Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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Spansion DRAM NOR
- 全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區簽署廠房租賃合同，正式投資落戶上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發中心新址，并拜會了外高橋保稅區管委會主任助理、功能區域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領導。雙方代表齊聚一堂，共同見證了這一重要歷史時刻。
恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業，擁有技術
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Numonyx NOR NAND RAM PCM
- 2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發制定相變存儲器(Phase Change Memory，PCM)產品的市場規格，兩大存儲器廠商的攜手再次印證了“商場上沒有永遠的對手”。
韓國三星電子稱霸存儲器行業已有多時，其DRAM市場近30%、閃存市場近40%的份額長期無可撼動。而恒憶作為存儲器行業的新寵，其正式成立距今不過一年左右的時間。它的主要業務是整合NOR、NAND及內置RAM，并利
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Numonyx PCM DRAM RAM NOR
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產品的市場規格，此新一代存儲技術可滿足載有大量內容和數據平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰。制定針對PCM 產品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡化設計流程并縮短產品開發時間，使制造商能在短時間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產品。
相較于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
nor介紹
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經常可 [
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