高頻高效是開關電源及電力電子系統發展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態下，減小功率元件開關損耗，提高系統效率。高頻高效是開關電源及電力電子系統發展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態下，減小功率元件開關損耗，提高系統效率。功率MOSFET開關損耗有2個產生因素：1）開關過程中，穿越線性區（放大區）時，電流和電壓產生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
關鍵字：
MOSFET ZVS
碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優勢，在高壓應用領域需求廣泛，具有巨大的研究價值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發展歷程和前沿技術進展，總結了進一步提高器件品質因數的元胞優化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進行了討論。1 引言電力電子變換已經逐步進入高壓、特高壓領域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
關鍵字：
SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構，通過引入一個銅夾片將源極連接件和外
關鍵字：
東芝 MOSFET
功率半導體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉換成交流）、整流（交流轉換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉換）是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應用領域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網、軌道交通等，根據每個細分領域性能要求
關鍵字：
功率器件 IGBT MOSFET 國產替代
羅姆今年發布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續瞄準他們之前取得成功的車載充電器市場。在產品發布聲明中，羅姆聲稱其第4代產品“通過進一步改進原有的雙溝槽結構，在不影響短路耐受時間的情況下，使單位面積導通電阻比傳統產品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關損耗比我們的上一代碳
關鍵字：
羅姆 ROHM MOSFET
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應
關鍵字：
Vishay 對稱雙通道 MOSFET
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
關鍵字：
瑞薩 柵極驅動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是，由于開關的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制
關鍵字：
Arrow 碳化硅 MOSFET
PC、消費性市況在2022年第四季需求持續疲弱，且今年第一季客戶端仍舊處于保守態度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預期更加緩慢，供應鏈預期，最差情況可能要延續到今年第三季才可能逐步結束庫存去化階段。法人預期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠營運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場庫存去化速度緩慢。供應鏈指出，先前晶圓代工產能吃緊，客戶端重復下單情況在2
關鍵字：
庫存 MOSFET
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。關于IGBT使用溝槽柵的原因及特點，可以參考下面兩篇文章：● 英飛凌芯片簡史● &n
關鍵字：
英飛凌 MOSFET
在本設計解決方案中，我們回顧了在工廠環境中運行的執行器中使用的高邊開關電路的一些具有挑戰性的工作條件和常見故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監控電路運行，并在發生這些情況時采取適當措施防止損壞。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個820
關鍵字：
技術田地 MOSFET
電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環境溫度。因此，他只能假設環境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環境溫度。因此，他只能假設環境溫度。這就帶來了兩種后果：?? 每個電流
關鍵字：
MOSFET
電器中配電、上電排序和電源狀態轉換都需要負載開關，它可以減小待機模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實現斷電控制。負載開關的作用是開啟和關閉電源軌，大部分負載開關包含四個引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當通過ON引腳使能器件時，導通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。東芝面向20V電源線路推出的MOSFET柵極驅動IC（集成電路）TCK421G就是一款負載開關，它是TCK42xG系列中的首款產品。該系列器件專門用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸
關鍵字：
TOSHIBA MOSFET
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球實現無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續航里程并減小車載電池的尺寸，提高發揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
關鍵字：
羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動汽車逆變器
功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20世紀70年代
關鍵字：
功率半導體 MOSFET IGBT
mosfet-90n10介紹
您好，目前還沒有人創建詞條mosfet-90n10!
歡迎您創建該詞條，闡述對mosfet-90n10的理解，并與今后在此搜索mosfet-90n10的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473