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ROHM開發出實現超低導通電阻的新一代雙極MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，
- 關鍵字： MOSFET
安森美半導體推出創新的超高密度離線電源方案
- 推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業界首款專用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現類似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結
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貿澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協議
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導體制造商。簽訂本協議后，貿澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產品，包括二極管、整流器和晶體管。貿澤備貨的PANJIT產品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
- 關鍵字： MOSFET
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊，適用于1500V太陽能系統和ESS應用的快速開關
- 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓撲結構，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統（ESS）這樣的快速開關應用，還有助于提高太陽能系統的額定功率和能效，并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數（cos φ）范
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安森美半導體在APEC 2021發布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
- 推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日發布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進一步增強其用于充滿挑戰的電動車 (EV) 市場的產品系列。隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發展，需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環境和地點，緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面
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