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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實現
- 在現代電子設備中，越來越多的產品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯。根據NAND FLASH的特點，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態機電路，靈活地實現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進行測試驗證。
- 關鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
集邦：第四季NAND Flash價格續跌15～20％
- 根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價格跌幅達30～35％，但各類NAND Flash終端產品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價格大跌，多數原廠的NAND Flash產品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下，對于采取減產以降低虧
- 關鍵字： 集邦 NAND Flash
應需而生！兆易創新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品系列
- 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品——GD25UF系列。該系列在數據傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關鍵性能指標上均達到國際領先水平，在針對智能可穿戴設備、健康監測、物聯網設備或其它單電池供電的應用中，能顯著降低運行功耗，有效延長設備的續航時間。 隨著物聯網技術的發展，新一代智能可穿戴設備需要擁有更豐富的功能來滿足消費者的需求，這種空間敏感型產品對系統功耗提出了更嚴苛的要求，希
- 關鍵字： 兆易創新 1.2V SPI NOR Flash
兆易創新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產品系列問世
- 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內，其功耗、電壓范圍等方面均實現了進一步提升，為消費電子、可穿戴設備、物聯網以及便攜式健康監測設備等對電池壽命和緊湊型設計有著嚴苛需求的應用提供了理想選擇。 如今，隨著5G、物聯網、AI等技術的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環等采用電池
- 關鍵字： 兆易創新 SPI NOR Flash
鎧俠為實現超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
- NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數來提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數的NAND Flash閃存。據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態的數量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現的每個單元
- 關鍵字： SSD NAND Flash 鎧俠
盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？
- 5月30日兆易創新宣布，公司Flash產品累計出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創新在NOR Flash領域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創新NOR Flash產品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創新業務還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過去一段時間行業普遍缺芯的背景下，兆易創新的營收與凈利潤均實現大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
- 關鍵字： 兆易創新 NAND Flash
中國SSD行業企業勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規模約占56%，NAND Flash市場規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
- 關鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND Flash
針對勒索軟件與網絡攻擊 IBM打造新一代儲存產品
- IBM發布下一代閃存產品，瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網絡攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業更快速地檢測勒索軟件和其他網絡攻擊并從中恢復；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環境，旨在提高混合云環境下的網絡復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產品，瞄準勒索軟件及其他網絡攻擊根據IBM網絡彈性機構的研究，46%的受訪者表示在過去兩年中經歷了勒索軟件攻擊。隨著網絡攻
- 關鍵字： NAND Flash IBM 閃存
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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