- 電子設計企業Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術，已經成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。
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Cadence、ARM、IBM三者之間已經達成了多年的合作協議
Cadence、ARM、IBM三者之間已經達成了多年的合作協議，共同開發14nm以及更先進的半導體工藝，14nm芯片和生態系統就是三方合作的一個重要里程碑。
這次的試驗芯片主要是用來對14nm工藝設計IP的
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Cadence 芯片 FinFET
- 臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內推出首款測試晶片。
臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術對晶片設計人員帶來了極大挑戰。臺積電的發展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。
臺積電的目標提前在
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臺積電 FinFET ARM V8
- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構的14nm-XM技術，其全球銷售和市場營銷執行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關問題進行了解讀。
XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業界領先的非平面結構，它真正為移動系統級芯片(SoC)設計做了優化，能提供從晶體管到系統級的全方位產品解決方案。與目前20納米節點的二維平面晶體管相比，該技術可望實現電池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示：“201
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FinFET 14nm
- 臺積電最近表示，其首個 FinFET 制程將會搭配16nm節點，而且可能會在2015年下半年量產。不過，臺積電也會在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數。
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臺積電 FinFET
- 隨著半導體產業向22納米技術節點外觀的發展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，FinFET的柵極環繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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SOI 體硅 FinFET
- 自從Intel正式對外公布22nm制程節點將啟用Finfet垂直型晶體管結構，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態稱芯片代工市場在未來一段時間內(至少到下一個節點制程時)仍將采用傳統基于平面型晶體管結構的技術。他們給出的理由是，Intel手上只有少數幾套芯片產品，因此Intel方面要實現到Finfet的晶體管架構升遷時，在芯片設計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
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臺積電 Finfet
finfet介紹
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [
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