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    2004年6月7日,瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

    •   2004年6月7日,瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產(chǎn)品相比,HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%,是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低,將有助于設(shè)計(jì)小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
    • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MOSFET  Renesas  
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    elitesic mosfet介紹

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