SIA發表研究報告指出，因受DRAM和內存市場疲軟的影響，2008年全球半導體市場銷售額將為2666億美元，全年市場的增幅為4.3%。2009年增長率在6.0%以上，達2832億美元。2010年增長8.4%，達到3070億美元。到2011年增幅回落到6%，達到3241億美元。
IC Insights指出，2008年半導體廠平均產能利用率預計達到90%以上，而2007年的水平僅為89%。2008年集成電路的出貨量預計比2007年增加8%左右。
iSuppli表示，模擬芯片在未來五年內
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時光飛逝，轉眼2008年已過大半，對半導體業而言，7月底是個坎。大部分公司的季度財報公布后是有人歡喜，有人愁。如果認真地收集資料，再加以綜合分析，我們從中能看出些半導體業前景的端倪。
半導體設備業幸存者少毛利率高
全球著名的市場分析公司Gartner(高德納)最近調低了2008年半導體生產設備的銷售額預期，由447億美元下降到355億美元，下降幅度達20.6%，這也是近期少見的大震蕩。
競爭力維持高毛利率
SEMI(國際半導體設備與材料協會)總裁兼首
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市場調查公司IC Insights公布最新統計數據顯示，今年一至六月份期間，在全球半導體廠商銷售收入排名中，英特爾以1750億美元的收入仍然保持全球第一。它的競爭者AMD以28.5億美元的收入下滑為第十五名。
調查公司表示，今年前半年，全球半導體市場的銷售收入比去年同期增長6%，前20家半導體廠商的收入同比增長了10%。銷售收入至少達到21億美元的廠商才能夠入圍前20家名單。在全球最高20家半導體提供商中（包括無工廠模式半導體廠商），美國公司占八家，日本占六家，三家歐洲公司和二家韓國公司，
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據國外媒體報道，人們現在可以歡呼DRAM內存芯片的供過于求，雖然它影響了一些公司和它們的庫存產品價格。從積極的角度看，較低的內存價格正在刺激電腦制造商在新機器上安裝更多DRAM芯片，同時將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進的第三代內存芯片。
全球最大DRAM制造商三星電子公司相信，內存價格下跌將加快業界采用更大字節容量DRAM芯片的步伐，其速度將大大超過以往。就在三個月前，三星公司曾表示，由于價格疲弱，電腦標配內存已從512M變成了1G。
目前，主流DRAM芯片為1G字
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臺灣最大兩家內存芯片生產商日前均表示，行業的下滑趨勢讓他們缺乏現金，維持將推遲原定的擴產計劃。
力晶半導體(Powerchip)不但是臺灣最大的動態隨機存儲芯片(DRAM)生產商，也是業內最積極興建新廠的廠商之一，但近日卻表示將把今年的資本投資額從新臺幣340億元(約11億美元)下調至240億元。與此同時，其對手南亞科技也預計今年的資本支出額會從原來預測的新臺幣300億元減少至230億元。
由于內存芯片價格持續下滑，兩家公司已經連續五個季度錄得凈虧損。這種下滑趨勢對一些內存芯片
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7月6消息，據臺灣地區DRAM內存廠商稱，由于全球大多數DRAM內存廠商推遲建設新的工廠或者推遲實施其它擴大生產能力的計劃，今年第三季度全球DRAM內存行業出貨量的增長率將受到限制。
DRAM內存價格下降引起的虧損使許多DRAM內存廠商暫停建設新的12英寸晶圓工廠，同時減少新的晶圓產量。臺灣地區的主要DRAM內存廠商包括南亞科技、力晶半導體、茂德科技和華亞科技。這些公司在2008年都要把內存出貨量的增長率控制在50%至60%。據介紹，華亞科技2007年內存出貨量的增長率是112%。力晶半導體20
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Spansion宣布開發稱作Spansion EcoRAM的全新存儲產品計劃，旨在通過取代數據中心服務器中極其耗能的DRAM，來解決日益加劇的互聯網數據中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術，Spansion EcoRAM有助于使互聯網數據中心服務器的能耗大幅下降75%，而且在同樣的能耗條件下，存儲容量為傳統純DRAM型服務器的四倍。
數據中心能源危機
能效專家及斯坦福大學顧問教授Jonathan Koomey博士最近的報告指出，數據中
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全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion（NASDAQ：SPSN）今天宣布開發稱作Spansion® EcoRAM™的全新存儲產品計劃，旨在通過取代數據中心服務器中極其耗能的DRAM，來解決日益加劇的互聯網數據中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術，Spansion EcoRAM有助于使互聯網數據中心服務器的能耗大幅下降75%，而且在同樣的能耗條件下，存儲容量為傳統純DRAM型服務器的四倍。
數據中心能源危機
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6月20日消息，據中國臺灣媒體報道，繼Hynix 66納米DRAM制造工藝出現問題后，三星的68納米DRAM日前也曝出問題，導致8000萬顆1GB DDR2被客戶退回。
今年4月，因Hynix 66納米工藝良率不高，導致大批1GB DDR2晶圓報廢。日前，三星也曝出同樣的問題。有消息稱，三星有8000萬顆瑕疵1GB DDR2被OEM廠商退回。
對此，下游客戶表示出了一絲擔心，三星將如何處理這批瑕疵產品呢？如果以較低價格傾銷到現貨市場，那勢必將對該市場價格產生劇烈影響。目前，三星并未給出具體
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半導體產業是否進入了“無利潤繁榮”時代？半導體產業是否無法再獲得足夠的投資回報率來滿足空前高漲的產能需求？在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產業戰略座談會”（SEMIIndustryStrategySymposium）上，LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產業的狀態發表了觀點，并指出目前復雜的財務狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會者評價為此次座談
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市場調研機構Gartner公司最近發布報告，稱由于受到美國經濟低迷和DRAM芯片市場拖累，預計2008年全球半導體廠商支出將下降19.8%，達475億美元。
Gartner公司負責半導體制造業務調查的副總裁Klaus Rinnen表示，“原來所預測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了，大多數廠商選擇了從緊的投資策略。就當前的市場行情，預計今年DRAM市場支出將減少47%，而整個存儲芯片市場費用支出將減少29%”。
Gartner還稱，預計今年全球用于芯片設
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6月13日消息，AMD稱，它將按計劃推出代號為“Kuma”的雙核處理器，否認某些型號的“Kuma”處理器已經取消的猜測。
AMD發言人Jake Whitman說，這種猜測完全是不真實的。我們仍將按計劃在2008年下半年推出代號為“Kuma”的處理器。這種處理器仍采用65納米生產工藝，仍以Star的內核為基礎。
AMD發言人稱，不像某些文章說的那樣，“Kuma”處理器與代號為“Phen
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NAND和mDRAM激增，NOR-less機型增多
手機內存內容是否正在發生根本性變化？
在相對較短的時間內，隨著手機從商用工具發展成隨處可見的大眾通信工具，手機所使用的內存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰。
這種轉變的背后，是因為市場需要大容量、低成本數據存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻，NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機RAM
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磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。
根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經獲得了幾個風險投資公司的加入。據悉他們將聯合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術公司，側重于研發制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關產品的市場份額”。
MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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