- 快科技3月25日消息，據悉，中國科學院成功研發除了突破性的固態DUV(深紫外)激光，可發射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導體工藝推進至3nm。據悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻機都采用了氟化氙(ArF)準分子激光技術，通過氬、氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193nm波長的光子，然后以高能量的短脈沖形式發射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過光學系統調整，用于光刻設備。中科院的固態DUV激光技術完全基于固態設計，由自制的Yb:YAG晶體放大器
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DUV光刻機 3nm
- 3月24日消息，中國科學院（CAS）研究人員成功研發突破性的固態深紫外（DUV）激光，能發射 193 納米的相干光（Coherent Light），與當前被廣泛采用的DUV曝光技術的光源波長一致。相關論壇已經于本月初被披露在了國際光電工程學會（SPIE）的官網上。目前，全球主要的DUV光刻機制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氬（ArF）準分子激光技術。這種技術通過氬（Ar）和氟（F）氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193納米波長的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發射，輸出功
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制程 DUV光刻機
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