- 在今后的2年～3年內，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發展速度。具體來說，到2011年～2012年，通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術，NAND閃存很有可能實現128Gb的容量。
但是，如果要實現超過128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術。目前正在量產的NAND閃存通常都使用浮柵結構的存儲單元。許多工程師也認為，2011年～2012年將量產的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現有的浮柵結構的存儲單元。但據SanDisk公司分析，當工藝發展到20nm以下時，從
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SanDisk 20nm NAND
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