- 隨綠色經濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。
在這種情況下，性能遠優于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環境
- 關鍵字：
豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
- 歷史發展
自從1971年Intel公司研發出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開創了DRAM的歷史。DRAM不僅推進了電子技術的前進，而且對各國半導體業的發展也發揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。
眾所周知，進入上世紀80年代，隨著大型計算機市場擴大，DRAM需求巨增。由于當時DRAM技術要求較低，其特點是量大面廣，勝負在于大規模生產技術，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規模集成電路)DRAM時代還落后于美國兩年，但在“官產學”舉國一致的努力下，
- 關鍵字：
Intel DRAM VLSI LSI 200910
200910介紹
您好，目前還沒有人創建詞條200910!
歡迎您創建該詞條，闡述對200910的理解，并與今后在此搜索200910的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
