- 本文介紹了借助多相運行(即多個變壓器并聯)提升反激式轉換器功率水平的可能性。此外,這種配置還降低了反激式開關模式電源拓撲結構輸入側的傳導發射。
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反激式轉換器 高功率應用 ADI
- 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺,該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 GaN 技術的持續投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比,Gen 4+ 平臺的 RDS(on) 和芯片尺寸減小了 14%,直接降低了成本。開關品質因數提高了 50%,而輸出品質因數提高了 20% 以上。在比較測試中,瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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650V GaN 器件 高功率應用 SiC
- 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案,重新定義行業基準。在第 4 代發布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡,已在廣泛用例中得到驗證,為硬開關應用的全面性能設定了基準。市場上的某些廠商只關注特定品質因數?(FOM),如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg,而 Wolfspeed 則采用了一
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Wolfspeed 碳化硅 高功率應用
高功率應用介紹
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