- 簡介化學機械拋光 (CMP) 是當今集成電路 (IC) 制造工藝中的關鍵作業。由于設計極其緊湊，并且 縮小到最先進的工藝技術節點，CMP 后的平面性變化可能會對制造成功產生重大影響。為了減輕 CMP 工藝的負面影響，大多數 IC 制造商使用 CMP 建模來檢測前道工序 (FEOL) 和 后道工序 (BEOL) 層中的潛在弱點，作為其可制造性設計 (DFM) 流程的一部分。CMP 弱點分 析旨在尋找設計中經過 CMP 后出現缺陷的概率高于平均值的區域。不同材料在 CMP 工藝 下會表現出不同的腐蝕速率，因此
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神經網絡 CMP 輪廓建模
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