誤觸發(fā) 文章 最新資訊
關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案
- 王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)。基于對公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴(kuò)展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性。 關(guān)鍵詞：IGBT；
- 關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
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