- ●? ?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議，致力于為AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術●? ?英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產能，意法半導體可借助英諾賽科在中國的制造產能服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業英諾賽科，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議。雙方將充分發揮各自優
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意法半導體 英諾賽科 氮化鎵
- Layout設計中的幾個關鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱，英諾賽科高壓單管GaN的Layout設計也不例外。反激拓撲是高壓單管GaN的典型應用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導致驅動振蕩。在GaN應用時，Layout上還需注意以下方面：1) 由于電流檢測電阻的存在，此種場合GaN的開爾文腳與源極直接連接，否則電流采樣電阻失去作用。2) Source端與bulk電容地的走線盡可能短、粗，減小寄生電感
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英諾賽科 PCB layout 高壓單管
- 致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案。圖示1-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案的展示板圖在實現“雙碳”目標的大背景下，風能、光伏等綠色能源形式正逐步成為推動可持續發展的核心動力。然而，自然界的能源供給存在固有的不穩定性，這要求
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大聯大詮鼎 英諾賽科 48V AC/DC 儲能電源
- 據英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯合交易所主板掛牌上市。據了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導體氮化鎵研發與制造的高新技術企業，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數據中心、汽車電子、新能源與工業等領域。據悉，英諾賽科此番戰略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創聯以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認
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英諾賽科 氮化鎵
- 案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉換公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯邦法院和美國國際
貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的
四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱英諾賽科）侵犯。 這些專利
涉及宜普公司獨家的增強型氮化
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- 據看看新聞網報道，目前，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司項目主體施工已經完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動IC設計開發，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產業鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺。據規劃，項目開工后兩年內投產，投產后三年實現年產78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標，年銷售收入約
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英諾賽科 寬禁帶半導體
英諾賽科介紹
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