- 近兩年來，碳化硅材料(Silicon Carbride, SIC)進入應用領域。SIC半導體具有寬禁帶，高擊穿電場，高飽和漂移速度和高熱導率的優異特性正在推動工業領域對功率設備在功率密度方面的革命。使用SIC MOSFET替代IGBT可以提高功率管開關頻率，從而降低功率設備中感性元件以及容性原件的體積。使功率設備的體積減小到原來不可思議的地步。但是更高的頻率，更高的功率密度，要求周邊器件也能適應更高的工作頻率，在更寬的溫度范圍以保證穩定的工作狀態。ROHM在SIC發展最初階段提出了可應用SIC產品使用的磁
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RHOM 磁耦技術 隔離器
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