Infineon Technologies 開發了用于固態保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優化的 SiC JFET 在短路
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英飛凌 SiC JFET 固態配電
引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動器設計措施關于SiC-MOSFET驅動器電路的穩健性，有幾個問題值得考慮。除了驅動器安全切換半導
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以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅動感性負載時，這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載，MOSFET 兩端的電壓實際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
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ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據悉，該工廠自2024年投產以來，其碳化硅功率芯片在家用空調中的裝機量已經突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優勢，能夠顯著提升空調的能效。搭載SiC芯片后，空調的電能轉換效率得到優化，制冷制熱效果增強，實現能耗降低，同時可以提升產品性能、降低能耗，增強格力空調的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
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全社會都在積極推動低碳化轉型，而低碳化的背后其實是電氣化。在 新型電氣能源架構 中，相比于從前，一次能源到終端用戶的 能源轉換次數增多 。雖然可再生能源是免費的，但是這種多層級的能源轉換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此 追求更高效的能源轉化效率至關重要 。SiC正是功率半導體的 能效提升技術 ，它的出現滿足了低碳化時代兩大全新的市場需求：1能效創新： SiC技術在光伏、儲能、數據中心等大功率電源管理領域，能夠顯著
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近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產品平臺，標志著功率半導體技術在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1
mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產品比電阻Rs
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碳化硅 （SiC） 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關頻率，因此也適用于更緊湊的電動機中的三相逆變器。其中包括數據中心的電子換向 （EC） 冷卻風扇，這些風扇消耗了更多的電力來運行 AI 訓練和推理，并在此過程中產生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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電能與智能是現代社會發展的兩大主題，電能如同工業文明的血液系統，提供物理世界運行的能量基礎，智能恰似數字文明的神經網絡，構建數字空間的決策中樞。作為電能轉換的智能開關，功率半導體在構建現代社會能源體系中發揮著關鍵性的樞紐作用，通過對電壓、電流和頻率的精準調控，功率半導體可以有效地提升電能轉換效率。經過七十年的發展，功率半導體經歷了兩次大的技術升級，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件，由于同屬硅基材料體系，第二代功率器件兼具成
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如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求，正推動著數據中心行業蓬勃發展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業的迅猛發展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規模的投資升級。隨著數據中心耗電量急劇增加，行業更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
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碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復雜的材料。用于制造 SiC 功率半導體的晶圓生產利用制造工藝、規格和設備的密集工程來實現商業質量和成本效益。必要性與發明寬禁帶半導體正在改變電力電子領域的游戲規則，使系統級效率超越硅器件的實際限制，并帶來額外的技術特定優勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關系優于硅，從而簡化了系統設計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性，SiC 的孕育使二極管領先于 MOSFET 進入市場?，F在，隨著技術進步收緊工藝控制、提高良率并
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安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數、獨特性能優勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其
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_____為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進展，交通領域的電氣化進程也在加速推進。這些新興技術大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動汽車（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術，其功率可超過500kW，電流高達1000A。市場需求下的挑戰一方面，我們需要擺脫化石燃料，另一方面，全球能耗又在不斷攀升。服務器農場就是一個能源需求更高的例子。為了有足夠的
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Enphase Energy采用全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的?600 V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET產品系列，簡化了系統設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統的領先供應商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統的?MOSFET?內阻（RDS(on)），進而減
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安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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碳化硅(sic)mosfet介紹
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