- 開關導通時，線路和電路板版圖的電感之中會直接積蓄電能（電流能量）。當該能量與開關器件的寄生電容發生諧振時，就會在漏極和源極之間產生浪涌。下面將利用圖1來說明發生浪涌時的振鈴電流的路徑。這是一個橋式結構，在High Side（以下簡稱HS）和Low Side（以下簡稱LS）之間連接了一個開關器件，該圖是LS導通，電路中存在開關電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過線路電感LMAIN流動。本文的關鍵要點?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實際的版圖設
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ROHM 漏極 源極
源極介紹
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點， [
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