- 簡介：今天寫兩個電路設計失誤，第一個是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設計者引發的，看了之后可以了解一些知識。
第一個失誤的主要原因是，設計者錯誤估算了R1的大小。其設計的值太大，導致Ib太小。
這里把等效的模型轉換成如下：
以上的模型描述了輸入和輸出的模型，正式計算的分成兩個部分。
求解基極電流Ib
求解集電極電流Ic
求解放大比例
通過這個比例可得到三極管的狀態，如
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電流增益 接觸電阻
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開爾文 四線法 接觸電阻 測量實例
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半導體 參數測試 探針 接觸電阻
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半導體參數 接觸電阻
- 納米級電氣特性
研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術對感興趣的點進行確定性測量。但是，必須考慮的一個額外因素是施加的探針壓力對測試結果的影響，因為很多材料具有壓力相關性，壓力會引起
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納米級 接觸電阻 測量 新技術
- 納米級電氣特性
研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術對感興趣的點進行確定性測量。但是，必須考慮的一個額外因素是施加的探針壓力對測試結果的影響，因為很多材料具有壓力相關性，壓力會引起材料
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納米級 接觸電阻 測量 新技術
接觸電阻介紹
----接觸，對導體件呈現的電阻成為接觸電阻。
一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開關則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感。 應該指出， 開關的接觸電阻是在開關在若干次的接觸中的所允許的接觸電阻的最大值。
Contact Area 接觸電阻
在電路板上是專指金手指與連接器之接觸點，當電流通過時所呈現的電阻之謂。為了減少金屬表面氧化 [
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