- 帶隙基準源廣泛應用于各類集成電路之中。在現代集成電路日益發展的今天，帶隙基準源扮演了極其重要的角色。在A／D，D／A轉換器以及一些模擬和數字電路中，帶隙基準源起著至關重要的作用，它的溫度特性和抗噪聲能力直接決定了整體電路的精度和性能。因此，提高帶隙基準源的精度是十分重要的。
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帶隙基準源 集成電路 VBE A／D D／A
- 本文通過結合LDO與Brokaw基準核心，設計出了高PSR的帶隙基準，此帶隙基準輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達到7.5 ppm，適用于電子鎮流器芯片。本設計還優化了啟動部分，使新的帶隙基準可以在短時間內順利啟動。
1 電路結構
1.1 基準核心
目前的基準核心可以有多種實現方案：混合電阻，Buck voltage transfer cell，但是修調復雜，不宜工業化。本設計采用Brokaw基準核心，其較易實現高壓基準輸出，并
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帶隙基準源 LDO
- 摘要：在傳統Brokaw帶隙基準源的基礎上，提出一種采用自偏置結構和共源共柵電流鏡的低成本多路基準電壓輸出的CMOS帶隙基準源結構，省去了一個放大器，并減小了所需的電阻阻值，大大降低了成本，減小了功耗和噪聲。該
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帶隙基準源 多路基準電壓輸出 溫度系數 Cadence
- 提出一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準電流進行動態電流反饋補償，設計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數在-25～+120℃范圍的溫度系數為7．427pp-m／℃，在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩壓囂等領域。
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CMOS 高精度 帶隙基準源
- 設計一種低溫漂低功耗的帶隙基準結構，在傳統帶隙基準核心電路結構上增加一對PNP管，兩個雙極型晶體管疊加的結構減小了運放的失調電壓對輸出電壓的影響，降低了基準電壓的溫度失調系數。電路設計與仿真基于CSMC0．5μm CMOS工藝，經流片，測得室溫下帶隙基準輸出電壓為1．326 65 V，在-40～+85℃范圍內的溫度系數為2．563 ppm／℃；在3．3 V電源電壓下，整個電路的功耗僅為2．81μw；在2～4 V之間的電源調整率為206．95 ppm。
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低功耗 帶隙基準源
- 偉健電子代理了Thaler公司推出的一系列產品，包括帶隙基準源VRE4100系列，壓力傳感器TPS31系列和正弦波基準源SWR200等。
1.帶隙基準源VRE4100系列
帶隙基準源VRE4100系列產品具有高精度、微功率、低成本的特性。其初始誤差為±0.05%，溫度系數僅為1.0ppm/℃，并具有很低的溫度遲滯：20ppm。輸出電壓靈活，包括4.096V、2.5V、2.048V、1.2
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偉健電子 Thaler 帶隙基準源 壓力傳感器 正弦波基準源
帶隙基準源介紹
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