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    臺積合 文章 最新資訊

    新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術上開發DesignWare IP核產品組合

    • 臺積公司5奈米 FinFET 強化版(N5P)制程技術上開發的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開發的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法,可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器新思科技(Synopsys, In
    • 關鍵字: 新思  臺積合   FinFET 強化版N5P  
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    臺積合介紹

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