- 在早先的技術節點中，由于器件尺寸較大，能采用成核及平整化化學氣相沉積(CVD)技術進行鎢(W)填充。如今，由于插塞處的超小開口很容易發生懸垂現象，因此薄膜表面均勻生長的共形階段可能在填充完成前就關閉或夾斷，從而留下孔洞。
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化學氣相沉積 良率 化學機械拋光
- 岳飛曾說：“陣而后戰，兵法之常，運用之妙，存乎一心。”意思是說，擺好陣勢以后出戰，這是打仗的常規，但運用的巧妙靈活...
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IC制造 slurry 化學機械拋光
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