制程工藝技術 文章 最新資訊

制程工藝技術發展探討

• 　　IBM聯盟開發出可在32納米芯片中加速實現一種被稱為“high-k/metal gate（高電介質金屬柵極）”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first（高電介質先加工柵極）”加工工藝的方法，為客戶轉向高電介質金屬柵極技術提供了一種更加簡單和更省時間的途徑，由此而能夠帶來的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過使用高電介質金屬柵極，IBM與聯盟合作伙伴成功地開發出比上一代技術體積小50%的芯片，同時提高了眾多性能。使用這種新技術的芯片將可以支持多種應用——從用于無線和消費設
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