IR推出新型DirectFET MOSFET

有效降低高達30%的導電損耗

國際整流器公司近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，導電損耗可比同類解決方案減少30%。

單個采用SO-8封裝的IRF6648，性能可與兩個并聯的同類增強型SO-8器件相媲美。IRF6648最適用于電信及網絡系統的隔離式DC-DC轉換器。

如果將IRF6648用于48V輸入、12V輸出的240W隔離式轉換器的次級，功率密度可由每平方英寸72W增加15%。這完全歸功于IR DirectFET  MOSFET 封裝技術具有的良好散熱設計和雙面冷卻能力。

IR中國及香港銷售總監嚴國富指出：“我們擴展了中壓DirectFET MOSFET產品系列，這使得電源設計人員可以有更多的器件選擇去改善隔離式DC-DC轉換器的初級和次級插槽的性能。”

“IRF6648是一種多功能器件，可用于36V到75V輸入的隔離式DC-DC轉換器的次級同步整流插槽、初級半橋及全橋隔離式DC-DC總線轉換器、24V輸入初級正向有源箝位電路和48V輸出AC-DC有源ORing系統。”

IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利，它集中了標準塑料分立封裝所不具備的一系列設計優點。其中的金屬罐構造能發揮雙面冷卻功能，使用以驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力增加了一倍。另外，DirectFET封裝的器件均符合“電子產品有害物質限制指令”（RoHS）的要求。