英特爾閃存生產工藝將向65nm過渡

美國英特爾2007年8月21日宣布，NOR閃存生產工藝將向65nm過渡。計劃2008年上半年面向客戶供應樣品。該公司的閃存主要面向手機及數字家電等產品。該公司表示，生產工藝向65nm過渡將有利于提高性價比。 

英特爾的閃存產品包括低成本產品“StrataFlash嵌入式存儲器”和“嵌入式閃存”以及串行產品“串行閃存”等。