CL 2.5水平低延遲DDR-2內存芯片即將量產

    DDR-2內存如我們預期地目前已開始調整售價并可在下半年取代DDR內存在市場的主流位置，不過DDR-2內存眾所周知目前主要的問題也在于其高延遲性（CL 4/5）設計而大大影響了產品性能。如在同級的DDR與DDR-2內存對比當中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來始終還是會得益于其高工作頻率設定可達成更高的內存帶寬而將取代最高不過667MHz的DDR，無論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現始終是不能有太大的突破，而這個情況莫非要到DDR-3才能解決？

　　不過值得高興的是據Cool Tech Zone日前的報道，某大型內存芯片廠商（三星？）目前正計劃推出低延遲的DDR-2內存芯片，雖然目前據廠商方面的消息表示現在這些芯片最高還只能做到CL 2.5的水平（具體工作頻率未明），但對比起Corsair目前CL 3的DDR-2 533和OCZ CL 4的DDR-2 800來說還是有一定突破的（多數廠商的超頻DDR533內存也只能運行在CL 2.5下，DDR500或以下產品則可做到CL 2）。

　　略為遺憾的是CL 2.5的DDR-2內存芯片目前未知可于何時投入量產，也未知采用這些內存芯片的DDR-2內存何時能夠投入市場，不過我們還是可以預期這會在一段不長的時間內發生。。當然類似的產品售價應該也不會太低，但作為DDR-2過渡到DDR-3前的“性能”型產品，新芯片應可為標準的DDR-2內存帶來更高的性能，而更高頻率的超頻DDR-2內存產品（DDR-2 1066/1333？）應也可借此達成。