英特爾:芯片制造主流工藝明年Q3邁向65nm

    英特爾第一款采用65納米工藝生產的處理器芯片將在今年年底推出，并且將在2006年第一季度開始大批量出貨。然而，英特爾日前預測稱，該公司的65納米芯片產量將在2006年第三季度超過90納米芯片的產量。 

    英特爾的第一款65納米芯片將是代號為“Yonah”的處理器。“Yonah”是英特爾下一代奔騰M處理器，將與代號為“Napa”的第三代迅馳平臺一起推出。“Yonah”在目前的“Dothan”奔騰M處理器的基礎上做了很多改進，包括使用667MHz前端總線和支持SSE 3技術。 

    在“Yonah”芯片推出之后，英特爾將很快發布代號為“Presler”和“Cedarmill”的雙內核和單內核的65納米奔騰D芯片。這種奔騰D芯片將取代將于下個季度推出的90納米的“Smithfield”芯片。英特爾還將推出單內核的“Yonah”芯片。 

    英特爾表示，代號為“Dempsey”的65納米雙內核Xeon芯片將在2006年第一季度推出。 

    英特爾顯然正在積極所有的65納米芯片。雖然65納米工藝的成本率到目前為止還沒有90納米工藝的成品率高，但是，英特爾表示，在2006年第一季度開始大批量生產的時候，成品率將會達到“世界級”水平。英特爾高級副總裁兼技術和生產事業部總經理Robert J. Baker表示，英特爾在俄勒岡州的D1D和D1C工廠、在亞利桑那州的12C工廠以及在愛爾蘭的24E將用于生產65納米芯片。 

    英特爾還披露稱，到今年年底，移動芯片占其芯片總產量的比例將從目前的31%提高到36%。