3G手機的RF屏蔽設計
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全部輻射測量都是在丹麥哥本哈根的Delta Technologies進行的。被測設備放在不吸收和不反射材料的表面(圖6)。在該測試中，RFMD的另一款TxM產品(RF3282)用作測試載體。
圖7顯示的是發自RF3282 TxM的輻射功率。紅色圖表示沒有屏蔽的TxM，藍色圖表示的是采用MicroShield屏蔽的TxM。注意：為更清楚地顯示兩種被測器件的差異，藍色圖被稍微右移。如圖所示，MicroShield集成RF屏蔽顯著降低了輻射功率。在10.5GHz僅有一個示警。它昭示著這兩種情況：或是存在另一種模式(腔模式)，或是結果也許與流經屏蔽表面的地電流相關。但無論如何，對輻射功率的平均衰減可達15dB或更高。
我們討論了MicroShield屏蔽技術在抑制EMI和RFI方面的優勢，該技術提升了滿足規約要求的能力。另外，MicroShield集成RF屏蔽還同時把外部EMI/RFI干擾的影響降至最低，從而弱化了手機設計中存在的性能漂移問題。
因手機設計師和制造商越來越依賴手機平臺來滿足其時間和成本要求，所以器件對PCB布局的敏感性是個關鍵因素。過去，當這些平臺被用于不同手機設計時，性能會被打折，具體表現在EMI和RFI輻射通常成為性能不一致的主要誘因。借助支持MicroShield的RF器件，手機制造商有能力像安放對EMI/RFI不敏感的任何器件一樣，安放高度復雜的RF模塊，從而提供了一種真正、可包容PCB改變和布局變化的“即插即用”方案。通過規避對PCB布局的敏感性，MicroShield避免了重新調節電路的風險，因此，加快了上市進度并降低了RF實現的成本。
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