手把手教你讀懂FET選取合適器件
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由于Cgd在承受正壓時，電容量非常小（Cgd雖然小；但是Qgd=Cgd*Ugd，Qgd仍然是很大的），Cgs遠大于Cgd。因此；脈沖初期，驅動脈沖主要為Cgs充電，直到FET開始開啟為止。開啟時；FET的柵電壓就是門檻電壓Vth。
大多數情況下；柵電壓達到Vth前，只有很小的電流流過FET。FET一直處于關斷狀態。
當FET柵電壓達到Vth，FET開始導電。無論負載在漏極還是在源極，都將因有電流流過而承受部分或全部電壓。這樣FET將經歷由阻斷狀態時承受全部電壓逐漸變到短路而幾乎沒有電壓降落為止的過程。
這個過程中，Cgd同步經歷了放電過程。放電電流為I=Qgd/ton。
Igd——密勒電流分流了FET的驅動電流！使得FET的柵電壓上升變緩。
彌勒電荷越大；這個斜坡越長。
彌勒電荷不僅和器件有關還和漏極電壓有關。一般；電壓越高；電荷量越大。
FET的柵電壓達到Vth后；電流流過FET的溝道，此時；FET工作在線性區。FET視在斜率隨Id大小變化而變。但；從Vg、Id的變化量看，兩者之比就是FET跨到S。即S=(Id2-Id1)/(Vgs2-Vgs1)。
其中；同樣粗細的亮色線為一組；代表各自的Vg和Id的關系。
由于在FET開的過程中，柵電壓變緩，是彌勒電容分流引起的，所以；也叫彌勒效應區。
因此；在斷續反激電源里，彌勒效應區的柵電壓斜率基本不變。而正激、半/全橋等；斜率隨負載而變。
彌勒效應時間（開關時間）ton/off=Qgd/Ig
注：1）Ig指FET的柵驅動電流。
FET “ON” Ig=（Vb-Vth）/Rg
2）Vb：穩態柵驅動電壓
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