采用突波吸收電容減小UPS直流總線電壓
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1. 加大IGBT上的尖峰吸收回路的浪涌抑制能力，即減小IGBT上的尖峰吸收回路的R的阻值，加大R、D的功率，加大C的容量，改善散熱條件。
2. 采用高頻等效串聯電阻小的突波吸收電容并聯在直流總線上直接減小紋波電壓。
在上述第一個方案中，如果直接減小R的阻值，加大R的功率，增加C的容量，則會造成IGBT的開關損耗增加，如果要加大D的功率，只有并聯D并加散熱片。該方案不但增加了電路損耗和器件發熱量，降低了效率，使IGBT工作可靠性降低，而且由于吸收電路安裝位置有限，工藝上很難達到要求。該方案被否定。
在第二個方案中，如果直接在電解電容上并聯4μF的突波吸收電容Ct,觀察到的效果并不理想，而直接在IGBT模塊的C1E2上并聯突波吸收電容Ct，直流總線紋波電壓明顯減小。
原因分析：由于IGBT發熱，工藝上要求整流濾波電解電容器與IGBT散熱器之間拉開一段距離。在大電流高頻率開關情況下，由于電流在導線中流動具有趨膚效應，因此連接于IGBT與電解電容器之間的連接導線電阻加大，雖然在濾波電解電容器上并聯了Ct，濾波效果并不顯著。而如果直接將Ct并聯于IGBT模塊的C1E2端時，由于Ct的等效串聯電阻很小，IGBT關斷時逆變變壓器原邊繞組釋放出的能量將沿IGBT上的反并聯二極管Dx首先對Ct充電，Ct發揮電壓箝位作用，直流總線紋波電壓明顯減小。因此突波吸收電容在直流總線上接入的位置要緊靠IGBT才能發揮作用。
IGBT功率管截止時，變壓器漏感能量等于Ct吸收的能量，則有
式中，LLK為變壓器漏感，IIP為變壓器原邊電感電流峰值，UCE為IGBT最大集-射極電壓，Ureset為電容Ct的初始電壓，Ui為整流輸出直流電壓[3]。
由于突波吸收電容跨接在直流總線上， Ct上的能量將在IGBT的下一個開通周期流入變壓器，從而提高了能量的利用效率。突波吸收電容的等效串聯電阻很小，因此Ct的溫升也很小。接入Ct后IGBT的開關安全性沒有受到影響。
可以推測，4μF的突波吸收電容對于一臺開關電流峰值達200A的20KVAUPS來說太小，因此增加Ct的容量可以進一步降低直流總線紋波電壓，接入Ct的位置仍然是每一個IGBT模塊的C1E2端。
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