功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

　　如果加在MOSFET的Vgs低于溫度穩(wěn)定點(diǎn)（在IPD90N06S4-04中是Vgs6.2V），此時(shí)的MOSFET是正溫度系數(shù)的，就是f，ID的電流是隨著結(jié)溫同時(shí)增加的。在設(shè)計(jì)中，當(dāng)應(yīng)用在大電流的設(shè)計(jì)中時(shí)，應(yīng)避免使功率MOSFET工作在在正溫度系數(shù)區(qū)域。

　　當(dāng)Vgs超過(guò)溫度穩(wěn)定點(diǎn)（在IPD90N06S4-04中是Vgs>6.2V）, MOSFET是正溫度系數(shù)的, 就是f，ID的電流是隨著結(jié)溫的增加是減少的。這在實(shí)際應(yīng)用中是一個(gè)非常好的特性，特別是是在大電流的設(shè)計(jì)應(yīng)用中時(shí)，這個(gè)特性會(huì)幫助功率MOSFET通過(guò)減少ID電流來(lái)減少結(jié)溫的增加。

　　EAS: 為了了解在雪崩電流情況下功率MOSFET的工作情況，數(shù)據(jù)表中給出了雪崩電流和時(shí)間對(duì)應(yīng)的曲線，這個(gè)曲線上可以讀出在相應(yīng)的雪崩電流下，功率MOSFET在不損壞的情況下能夠承受的時(shí)間。對(duì)于同樣的雪崩能量，如果雪崩電流減少，能夠承受的時(shí)間會(huì)變長(zhǎng)，反之亦然。環(huán)境溫度對(duì)于雪崩電流的等級(jí)也有影響，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，由于收到最大結(jié)溫的限制，能夠承受的雪崩電流會(huì)減少。

　　數(shù)據(jù)表中給出了功率MOSFET能夠承受的雪崩能量的值。在次例子中，室溫下的EAS=331mJ

　　上表給出的只是在室溫下的EAS，在設(shè)計(jì)中還需要用到在不同環(huán)境溫度下的EAS，廠商在數(shù)據(jù)表中也會(huì)給出，如下圖所示。