用于智能卡供電的集成式DC/DC轉換器設計
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該系統按照兩周期的概念運行(所有注釋請參見圖2及圖3)，并帶有考慮了智能卡要求的特殊結構：
周期1：Q1及Q4開通，且電感L1由外接電池來充電。在此階段，Q2/Q3及Q5/Q6關斷。
流經Q1及Q4兩個MOSFET的電流在內部被監視，并在達到Ipeak值(峰值電流，取決于可編程輸出電壓值)時關斷。在這一點上，周期1完成而周期2開始。“開通”時間是電池電壓及引腳10與11之間所連接的電感網絡值(L及Zr)的函數。
為防止出現不受控運行，4μs暫停結構可確保系統在過載或低電池輸入情況下只在連續的周期1環路內運行。
周期2：Q2及Q3開通，且存儲在電感L1中的能量通過Q2轉移到外接負載。在此階段，Q1/Q4及Q5/Q6關斷。電流流通周期是900ns恒定值(典型值)，如果CRD_VCC電壓低于規定值，在這段時間以后重復周期1。
當輸出電壓達到規定值(1.80V、3.0V或5.0V)時，Q2與Q3立即關斷，以免在輸出負載上產生過壓。與此同時，兩個額外的NMOS——Q5及Q6開通，以便完全放掉存儲在電感中的電流，避免在系統上產生振鈴及電壓尖峰。圖3給出了DC/DC轉換器的理論波形。
本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/179207.htm
當CRD_VCC被編程為0V，或當智能卡從插座中拔出時，有源下拉Q7迅速對輸出儲能電容進行放電，確保當卡在ISO觸點上滑行時輸出電壓低于0.40V。由于Q7的導通電阻低，輸出電壓在不到100μs的時間內即迅速下降至400mV，遠低于EMV規定的最大值750μs。
輸出電壓紋波，盡管ISO7816-3或EMV未直接規定，但它在智能卡的運行中扮演重要角色。其峰峰值取決于以下兩個主要電參數：
1．在輸出硅結構及凈儲能電容之間的總串聯電阻；
2．穩壓，即檢測帶最小門限及滯后的輸出電壓的能力。
第一個參數取決于芯片與外界相連的內部焊接線、連接儲能電容串聯電阻的引腳接點以及用于連接引腳到負載的印刷電路板銅導線。當大電流通過引腳時，廣泛采用多焊接線技術，以將串聯電阻減少至50m(，或者如果使用更寬的焊接線，則電阻值更低。
印刷電路板走線的寬度可根據給定應用所需的電流處理需要而定。此外，該串聯電阻會是一個問題，因其牽涉到的外部無源元件隨不同應用變化很大。最關鍵的部分是儲能電容，因為(基于經濟的原因)一般首選低成本類型，但這又會產生幾乎不可能完全消除的高電壓尖峰。
根據用于開發電容的技術類型，寄生元件可能擁有相對較高的值，會產生較大的不可控制的尖峰。如圖4所示，此等效串聯電阻(ESR)非常容易引起此類尖峰，因為電源電流會直接流過它，并將高電壓脈沖帶入輸出源中。
基于在NCN6001和NCN6004A特性化中進行的實驗，最佳的方案是使用兩個并聯的4.7μF/10V/陶瓷/X7R電容來實現CRD_VCC濾波。ESR在整個溫度范圍內不超過50m?，而且標準元件的組合提供一個可以接受的-20%到+20%的容差，成本增加有限。表2給出了最常用電容類型的大致比較。圖5顯示了對于進行輸出電壓濾波的不同電容類型，NCN6001或NCN6004A演示板上觀察到的CRD_VCC紋波。在上面曲線上觀察到的較大且快速的瞬變是非常難以濾除的，因為它們的能量很高。很清楚，鋁電容不適合這類應用，應該避免使用。
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