開環推挽逆變器軟開關實現的設計

這個電路驅動能力強,開關速度極快,但有一點,從驅動IC過來的信號經過了圖騰柱中MOS管的反向,驅動IC必須能適應這種邏輯的變化,可采用SG3527,和3525電路完全一樣,只不過是3527輸出的是負向推動脈沖,以適應這種邏輯關系. 最好的方法是采用專用驅動IC,如MC33152,TC4427,FAN3224等,深圳高工以臺系芯睿單片機產生驅動信號,再經MC33152專驅推動MOSFET,取得較好效果.

繼續.要消除開關損耗,首先要知道開關損耗在什么時段產生的.在圖4中,C2C3為MOSFET的等效輸出電容,把輸出變壓器簡單的等效為一個理想變壓器和漏感,激磁電感的串并聯。

IRF3205的輸出電容C2和C3,查數據手冊為781PF,把變壓器的次級短路,測得的初級電感量就是變壓器的漏感,對于高頻變壓器來說,約在幾十到幾百NH,次級開路,測得的電感量就是變壓器的激磁電感,如果用PC40ETD29-Z磁芯繞2匝,電感量約為10μH。

設某一時刻,Q1處于導通狀態,其D極電壓為0,然后G極電壓開始下降,漏感L2中的電流不能突變,向等效電容C2充電,由于L2C2都很小,電流很大,Q1的D極電壓迅速上長,形成很高的所謂漏感尖峰,而此時Q1柵極電荷還沒有完全泄放,溝道中還有電流,其溝道電流和電壓同時不為零,產生了關斷損耗其值為定積分∫V(t)I(t)dt,而激磁電感L1中的電流則主要轉移到L1的下半段,并經Q2中的體二極管返回電源,對開關損耗影響并不大。

設某一時刻,Q1處于導通狀態,其D極電壓為0,然后G極電壓開始下降,漏感L2中的電流不能突變,向等效電容C2充電,由于L2C2都很小,電流很大,Q1的D極電壓迅速上長,形成很高的所謂漏感尖峰,而此時Q1柵極電荷還沒有完全泄放,溝道中還有電流,其溝道電流和電壓同時不為零,產生了關斷損耗其值為定積分∫V(t)I(t)dt,而激磁電感L1中的電流則主要轉移到L1的下半段,并經Q2中的體二極管返回電源,對開關損耗影響并不大。