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    切換式電源的靜電放電能力防制技術(shù)

    作者: 時間:2012-07-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
    時所產(chǎn)生的高電壓,電流,可能會對DUT()造成的影響包括:

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/176736.htm

      1) 訊號失真:在IC或電子電路里,可能透過PCB板或組件,將釋放的瞬時能量耦合到內(nèi)部電路,造成訊號干擾,誤觸而造成訊號失真,像是保護(hù)線路誤動作。

      2) 組件損壞:針對半導(dǎo)體組件,像MFET,Diode等開關(guān),可能會因所產(chǎn)生的高電壓或電流擊穿組件,或是連續(xù)的瞬時突波電流在P-N接面造成熱效應(yīng)損壞組件(heat breakdown),也有可能因距離太近,讓電場耦合經(jīng)由非預(yù)期的路徑而造成組件損壞。

      ESD防制方法

      在做電路初期規(guī)劃設(shè)計(jì)時,若能先將ESD相關(guān)對策放入,則能事半功倍,而在ESD一開始的防制部份,最重要的是建立疏導(dǎo)路徑。

      供應(yīng)器大多以絕緣材質(zhì)的外殼密封,或是有鐵殼做包覆,因此對外裸露的部份只有接地鐵殼與輸出導(dǎo)線,提供了靜電放電測試時的測試點(diǎn)。一般三線輸入時,需要從輸出端開始預(yù)留一條疏導(dǎo)路徑回到輸入端的地,若是兩線輸入(輸入沒有地線),則需從輸出端預(yù)留疏導(dǎo)路徑回到輸入側(cè)的火線或中性線。

      跨接于一二次側(cè)的組件,包括光耦合器,Y 電容與變壓器,當(dāng)二次的電荷增加時,此三個組件會等效將二次側(cè)的電荷回到一次側(cè),通常流過Y電容的電荷會較多,因其容量小(《4700pF),高頻時的阻抗低,因此一般疏導(dǎo)路徑會以Y電容兩端定為一二次側(cè)快速放電路徑。

      在所規(guī)劃的疏導(dǎo)路徑上要盡可能避開半導(dǎo)體組件,以防因電荷的累積造成零件的損壞。

      以通嘉科技PWM IC LD7538設(shè)計(jì)的返馳式切換式為例,圖三紅色圖標(biāo)為其疏導(dǎo)路徑,且為三線式輸入電源,若一次側(cè)的地與二次側(cè)的地直接相連,則電荷由二次側(cè)輸入時可快速藉由一次的地疏導(dǎo)。


    圖三

      圖四為二線式輸入電源,若一次側(cè)沒有地的回路,則電荷需由輸入的火線或中線做疏導(dǎo),因此將二次側(cè)的地直接接至Y電容二次側(cè)的地,再將Y電容的地盡量的靠近橋式整流端的地,再回到火線或中線。



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