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    多模3G手機前端電路設計與分析

    作者: 時間:2012-06-18 來源:網絡 收藏
     圖8顯示了超前/滯后合成器網絡輸出失配時發生的情況。這一仿真中,在Port1合成器輸出上有5.0:1 VSWR的失配。使用5.0:1 VSWR的原因在于這是環境中可能發生的最壞失配情況。Ports2和4受到的影響是阻抗轉換,亦即每個PA輸出2.0:1 VSWR。組件插損可對天線失配起一定隔離作用。典型組件插損至少3dB,這限定了超前/滯后合成器輸出的最壞情況VSWR是3.0:1,而非5.0:1。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/165437.htm


      圖9所示為測得的RF6285的ACLR性能與VSWR的關系,從中可看出PA正交架構的優勢。作為參考,在3.0:1的最壞情況VSWR下,ACLR下降不到2dB,而單端PA時為10dB。對于3.0:1的最壞情況VSWR,RF6285的功率下降只有2.5dB,相同情況下單端PA則為3.5dB(圖10)。圖11顯示了RF6285的峰值集電極電流與VSWR的關系。在2.0:1最壞情況VSWR下,RF6285的峰值集電極電流只增加了3%,而相同條件下單端PA的增加了20%之多。



      的設計人員面臨著大量挑戰,究竟應該優先解決那些問題,需根據最終應用來決定。像RD6280模塊這樣的解決方案可為多頻帶應用帶來靈活性的優點,同時在所有功率級和工作模式下都能保持最佳性能。相反地,RF6241、RF6242和RF6245等高度集成的解決方案可減少元件數目求。上述兩類解決方案都能夠滿足改進回退功率級下耗電量的要求,而RD6280包含有PA PMIC,可提供更多的性能優化。


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