基于TMS320 F28335信號處理板的設計與實現
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2．2 電源模塊設計
整個處理板的外部輸入電壓為5 V和±12 V，分別通過對應的電壓轉換芯片為模擬和數字部分提供不同的電壓幅值。對于數字部分，電源模塊需要為DSC提供1．9 V的核電壓，同時為DSC的外圍和其他芯片提供3．3 V的外圍電壓。本系統選用LT1963AES8集成芯片提供1．9 V，LT1963AEST-3．3集成芯片提供3．3 V。對于模擬部分，系統要求輸入ADC的信號幅值范圍在±12V內，所以系統分別選用LT1086IT-12和LT11 75IT把輸入的±15V電壓轉換成±12V。
2．3 數字電路設計
數字部分電路主要是以DSC為中心的應用電路。該部分主要是對ADC傳送的數據進行處理、存儲，同時完成DSC同上位機的通信和數據傳輸。由圖1可以看到，它包含以下幾個部分。外圍SRAM擴展，EEPROM擴展電路，SCI上位機通信接口電路。
2．3．1 外圍SRAM擴展
考慮到TMS320F28335片內的RAM資源有限，加上程序空間和數據空間RAM僅為34 kB，16位數據寬度，從而需要對片內的RAM進行擴展，來滿足較大量程序的運行。本系統選用Cypress公司的CY7C1011CV33-12ZSXE集成芯片，利用TMS320F28335提供的XINTF接口完成片外RAM的擴展。
XINTF是TMS320F28335所提供的一個非復用異步總線，用來完成外部異步器件的擴展。XINTF可以映射外設到3個固定的內存映射區域，當外部資源掛接到某個區域時，則需要通過XINTF的一個片選信號來進行外部資源的選定。
CY7C1011CV33-12ZSXE是一個CMOS的靜態RAM存儲器，其容量大小為64 kB，16位數據寬度。圖2是外圍SRAM擴展電路連接圖。本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/161948.htm
如圖2所示，本系統選用ZONE7區域作為RAM的外圍擴展。DSC通過其XZCS7管腳向片外SRAM發送片選信號。WE信號用來控制DSC對片外SRAM的讀寫，當DSC的XWEo管腳為低電平，則DSC對片外RAM進行讀寫操作；XWEo為高電平，同時DSC的XRD管腳為低電平，則為讀操作。
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